| 双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性 (EI收录) | |
| 莫淑芬; 刘玉荣; 刘远 | |
| 刊名 | 《发光学报》
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 0页码:213-218 |
| 关键词 | 薄膜晶体管 氧化锌 硅掺杂 双层有源层 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2209904 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | 1.华南理工大学电子与信息学院 2.华南理工大学国家移动超声探测工程技术研究中心 3.工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫淑芬,刘玉荣,刘远. 双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性 (EI收录)[J]. 《发光学报》,2015,0:213-218. |
| APA | 莫淑芬,刘玉荣,&刘远.(2015).双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性 (EI收录).《发光学报》,0,213-218. |
| MLA | 莫淑芬,et al."双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性 (EI收录)".《发光学报》 0(2015):213-218. |
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