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	水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟
	年夫雪[1]; 邓先亮[2]; 邓康[3]; 任忠鸣[4]; 吴亮[5]
刊名	稀有金属
	2017
卷号	41页码:297-303
关键词	水平磁场 18英寸硅单晶 直拉法 三维数值模拟
ISSN号	0258-7076
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2194102
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学, 上海市省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室, 上海 200072, 中国[2] 上海大学, 上海市省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室, 上海 200072, 中国[3] 上海大学, 上海市省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室, 上海 200072, 中国[4] 上海大学, 上海市省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室, 上海 200072, 中国[5] 上海大学, 上海市省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室, 上海 200072, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	年夫雪[1],邓先亮[2],邓康[3],等. 水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟[J]. 稀有金属,2017,41:297-303.
APA	年夫雪[1],邓先亮[2],邓康[3],任忠鸣[4],&吴亮[5].(2017).水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟.稀有金属,41,297-303.
MLA	年夫雪[1],et al."水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟".稀有金属 41(2017):297-303.

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