| 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 (EI收录) | |
| 蔡旻熹; 姚若河 | |
| 刊名 | 《华南理工大学学报：自然科学版》
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 44页码:61-66 |
| 关键词 | 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2191105 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | 华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡旻熹,姚若河. 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 (EI收录)[J]. 《华南理工大学学报：自然科学版》,2016,44:61-66. |
| APA | 蔡旻熹,&姚若河.(2016).双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 (EI收录).《华南理工大学学报：自然科学版》,44,61-66. |
| MLA | 蔡旻熹,et al."双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 (EI收录)".《华南理工大学学报：自然科学版》 44(2016):61-66. |
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