| 低温烧结Bi2MoO6–Bi2Mo2O9陶瓷的微波介电性能 (EI收录) | |
| 杨俊锋; 凌志远 | |
| 刊名 | 《硅酸盐学报》
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 44页码:1700-1705 |
| 关键词 | 介质陶瓷 钼酸铋 低温烧结 微波介电性能 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2191015 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | 华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨俊锋,凌志远. 低温烧结Bi2MoO6–Bi2Mo2O9陶瓷的微波介电性能 (EI收录)[J]. 《硅酸盐学报》,2016,44:1700-1705. |
| APA | 杨俊锋,&凌志远.(2016).低温烧结Bi2MoO6–Bi2Mo2O9陶瓷的微波介电性能 (EI收录).《硅酸盐学报》,44,1700-1705. |
| MLA | 杨俊锋,et al."低温烧结Bi2MoO6–Bi2Mo2O9陶瓷的微波介电性能 (EI收录)".《硅酸盐学报》 44(2016):1700-1705. |
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