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	Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy
	Li Yang[1]; Song Yuxin[2]; Zhang Zhenpu[3]; Li Yaoyao[4]; Chen Qimiao[5]; Zha Fangxing[6]; Wang Shumin[7]
刊名	MATERIALS RESEARCH EXPRESS
	2017
卷号	4页码:045907(1-5)
关键词	scanning tunneling microscopy tensile-strained Ge nanostructure
ISSN号	2053-1591
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2188936
专题	上海大学
作者单位	[1]上海大学物理系[2]中国科学院微系统与信息技术研究所[3]中国科学院微系统与信息技术研究所[4]中国科学院微系统与信息技术研究所[5]中国科学院微系统与信息技术研究所[6]上海大学[7]中国科学院微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Li Yang[1],Song Yuxin[2],Zhang Zhenpu[3],et al. Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy[J]. MATERIALS RESEARCH EXPRESS,2017,4:045907(1-5).
APA	Li Yang[1].,Song Yuxin[2].,Zhang Zhenpu[3].,Li Yaoyao[4].,Chen Qimiao[5].,...&Wang Shumin[7].(2017).Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy.MATERIALS RESEARCH EXPRESS,4,045907(1-5).
MLA	Li Yang[1],et al."Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy".MATERIALS RESEARCH EXPRESS 4(2017):045907(1-5).

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