QQ客服 官方微博 反馈留言

	GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 (EI收录)
	符民[1]; 文尚胜[1]; 夏云云[1]; 向昌明[1] 马丙戌[1] 方方[2]
刊名	《物理学报》
	2017
卷号	66页码:282-289
关键词	发光二级管 失效分析 空洞 可靠性
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2181144
专题	华南理工大学
作者单位	[1]华南理工大学,发光材料与器件国家重点实验室,广州510640 [2]广东金鉴检测科技有限公司,广州511300
推荐引用方式 GB/T 7714	符民[1],文尚胜[1],夏云云[1],等. GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 (EI收录)[J]. 《物理学报》,2017,66:282-289.
APA	符民[1],文尚胜[1],夏云云[1],&向昌明[1] 马丙戌[1] 方方[2].(2017).GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 (EI收录).《物理学报》,66,282-289.
MLA	符民[1],et al."GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 (EI收录)".《物理学报》 66(2017):282-289.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。