QQ客服 官方微博 反馈留言

	大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究
	余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1]; 王小强[1] 冯发明[2]; 费武雄[1]
刊名	《航天器环境工程》
	2018
卷号	35页码:462-467
关键词	单粒子效应 大容量SRAM 抗辐射加固 Bulk CMOS工艺 SOI CMOS工艺 重离子射程
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2166199
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]工业和信息化部电子第五研究所,广州510610 2.[2]华南理工大学电子与信息学院,广州510641
推荐引用方式 GB/T 7714	余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1],王小强[1] 冯发明[2],费武雄[1]. 大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究[J]. 《航天器环境工程》,2018,35:462-467.
APA	余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1],王小强[1] 冯发明[2],&费武雄[1].(2018).大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究.《航天器环境工程》,35,462-467.
MLA	余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1],et al."大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究".《航天器环境工程》 35(2018):462-467.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。