TSV的工艺缺陷诊断与分析 | |
陈媛[1]; 张鹏[2] 夏逵亮[3] | |
刊名 | 《半导体技术》 |
2018 | |
卷号 | 43页码:473-479 |
关键词 | 硅通孔(TSV) 3D集成 边界层 工艺缺陷 失效分析 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2166195 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | 1.[1]工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广州510610 2.[2]华南理工大学分析测试中心,广州510641 3.[3]西安电子科技大学微电子学院,西安710071 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈媛[1],张鹏[2] 夏逵亮[3]. TSV的工艺缺陷诊断与分析[J]. 《半导体技术》,2018,43:473-479. |
APA | 陈媛[1],&张鹏[2] 夏逵亮[3].(2018).TSV的工艺缺陷诊断与分析.《半导体技术》,43,473-479. |
MLA | 陈媛[1],et al."TSV的工艺缺陷诊断与分析".《半导体技术》 43(2018):473-479. |
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