| 用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型 | |
| 时龙兴; 孙伟锋; 孟坚; 徐超; 高珊; 陈军宁; 柯导明 | |
| 会议日期 | 0000-00-00 00:00:00 |
| 会议地点 | 合肥 |
| 关键词 | 高阻 漂移区 LDMOS 导通电阻 计算公式 软件模拟 结果 分析 双扩散 耐高压 场极板 相差 设计 沟道 改进 参数 |
| 会议录 | 2005年“数字安徽”博士科技论坛论文集
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2153766 |
| 专题 | 安徽大学 |
| 作者单位 | 1.安徽大学电子科学与技术学院 2.东南大学国家ASIC工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 时龙兴,孙伟锋,孟坚,等. 用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型[C]. 见:. 合肥. 0000-00-00 00:00:00. |
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