铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法; 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法 | |
周圣明 ; 黄涛华 ; 邹军 ; 李抒智 ; 周健华 ; 王军 | |
2008-03-05 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | ZL200610027647.9 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
中文摘要 | 一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO2作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(1120)面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO2作为衬底,通过金属有机化学气相沉积方法预先在(302)面γ-LiAlO2衬底上制备出GaN薄膜,形成(1120)GaN/(302)γ-LiAlO2复合衬底,在此复合衬底上再用氢化物气相外延方法制备a面(1120)GaN厚膜;剥离(3 |
公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
申请日期 | 2006-06-13 |
收录类别 | 专利 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200610027647.9 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10100] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周圣明,黄涛华,邹军,等. 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法, 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法. ZL200610027647.9. 2008-03-05. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论