| 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法; 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法 | |
| 姜本学 ; 赵志伟 ; 徐晓东 ; 宋平新 ; 徐军 ; 王晓丹 | |
| 2006-12-27 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410067129 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法，主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化钕、氧化铈为原料按照比例采用两步合成法制备原料，在98％氮气+2％氧气条件下用提拉法生长激光晶体，解决了现有的技术中因为掺Nd2O3而引入O2-所导致的晶格畸变问题，提高了晶体的抗辐照能力改善了Nd：GGG晶体的光谱和激光性能。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 收录类别 | 专利 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410067129.0 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10044]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜本学,赵志伟,徐晓东,等. 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法, 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法. ZL200410067129. 2006-12-27. |
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