| 垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法; 垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法 | |
| 徐军 ; 李红军 ; 周圣明 ; 司继良 ; 周国清 ; 赵广军 ; 赵志伟 | |
| 2005-12-28 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310108486.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法，包括如下步骤：在温梯炉坩埚的的籽晶槽内放入定向籽晶；在x＝0～0.05的范围内选定x的具体值，按(1+x)∶1比例配备高纯MgCO3和SiO2粉料，按该粉料总量掺入0.18～0.40wt％的氧化铬(Cr2O3)，在混料机中机械混合；用压料机压块成形，直接装入坩埚中，加上坩埚盖，将坩埚密封，置于温梯炉中；边抽真空边升温至600C，充入高纯氩气；持续升温至熔体温度约1890℃±1 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-11-07 |
| 收录类别 | 专利 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310108486.2 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9994]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,李红军,周圣明,等. 垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法, 垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法. ZL200310108486.2. 2005-12-28. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论