坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法; 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法
徐军 ; 王海丽 ; 周圣明 ; 张连翰 ; 杭寅 ; 周国清 ; 赵广军 ; 司继良
2005-08-24
专利国别中国
专利号ZL03141521.0
专利类型发明
权利人中国科学院上海光学精密机械研究所
中文摘要一种坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法,其特征在于它是采在坩埚的籽晶槽内放入定向籽
公开日期2011-07-14 ; 2011-07-15
申请日期2003-07-11
收录类别专利
语种中文
专利申请号CN03141521.0
内容类型专利
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9970]  
专题上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
徐军,王海丽,周圣明,等. 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法, 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法. ZL03141521.0. 2005-08-24.
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