| 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法; 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 | |
| 徐军 ; 蒋成勇 ; 周圣明 ; 杨卫桥 ; 周国清 ; 王银珍 ; 彭观良 ; 邹军 ; 刘士良 ; 张俊计 ; 邓佩珍 | |
| 2006-03-01 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200310108068.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的划片方法，包括下列步骤：根据划片的要求采用铅板制造出中间有若干狭缝的辐照挡板；将已生长GaN的蓝宝石晶体背面与辐照挡板贴紧，采用Co60进行Gamma射线辐照，辐照剂量约为107Rad，然后将挡板旋转90°，进行同等剂量的辐照，使蓝宝石衬底上形成网状辐照线；采用248nm；KrF准分子激光对辐照后的GaN/蓝宝石LED芯片沿着辐照线进行划片；采用裂片机对已划片的GaN/蓝宝石LED芯片进行裂片，然后进行芯片探针测试及芯片分类。本发明的优点 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2003-10-21 |
| 收录类别 | 专利 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200310108068.3 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9912]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,蒋成勇,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法, 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法. ZL200310108068.3. 2006-03-01. |
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