| 铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法; 铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法 | |
| 朋汉林 ; 潘守夔 ; 姜本学 ; 林礼煌 | |
| 2007-12-05 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200510111595.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法，该方法的步骤是：对LiNbO3单晶进行定向，垂直于晶轴方向为面切割成长方体晶片，晶片表面抛光，光洁度优于Ⅲ级；将所述的LiNbO3晶片置于相干飞秒激光装置的相干场靶位上，使相干的飞秒激光沿所述的LiNbO3晶片的C轴入射辐照，入射能量在100～500mw，辐照时间超过30秒。利用本发明方法可在铌酸锂晶体中制备出微区周期性畴结构。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2005-12-16 |
| 收录类别 | 专利 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200510111595.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8428]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_强场激光物理国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朋汉林,潘守夔,姜本学,等. 铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法, 铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法. ZL200510111595.9. 2007-12-05. |
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