取样光纤光栅的刻制方法; 取样光纤光栅的刻制方法 | |
赵岭 ; 方祖捷 | |
2005-06-15 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | Zl02136860 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
中文摘要 | 一种取样光纤光栅的刻制方法,采用从光纤一端拉伸光纤前后,对光纤上光栅刻制区两次曝光的方法。两次曝光中,由紫外激光器发射紫外激光束透过的振幅掩模板和相位板结构和位置都相同,仅仅是对光纤从一端拉伸。采用光谱仪监测光纤光栅中心反射峰布喇格波长在拉伸中的变化量,以此控制光纤光栅拉伸前后的初始位相差为π的整数倍。与在先技术相比,本发明的刻制方法简单,容易操作,所刻制的取样光纤光栅在轴向形成了莫尔条纹状的折射率调制,实现了光纤光栅信道间隔的减半或多信道的同时纯变迹。 |
公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
申请日期 | 2002-09-06 |
收录类别 | 专利 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN02136860.0 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/8632] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵岭,方祖捷. 取样光纤光栅的刻制方法, 取样光纤光栅的刻制方法. Zl02136860. 2005-06-15. |
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