基于H-Si(100)表面上原子层沉积AlO的仿真 | |
申灿 [1]; 黄光周 [1]; 马国欣 [1]; 叶位彬 [1] 朱建明 [2] 戴晋福 [2] | |
会议名称 | 07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会 |
会议日期 | 2007年12月09日 |
会议地点 | 广东东莞 |
关键词 | 原子层沉积 计算机仿真 氧化铝 薄膜生长速率 蒙特卡罗法 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2102305 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | [1]华南理工大学电子与信息学院 广东 广州 510640 [2]广东省肇庆市科润真空设备有限公司 广东 肇庆 526060 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 申灿 [1],黄光周 [1],马国欣 [1],等. 基于H-Si(100)表面上原子层沉积AlO的仿真[C]. 见:07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会. 广东东莞. 2007年12月09日. |
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