CORC  > 华南理工大学
An empirical model of leakage current in poly-silicon TFTs (CPCI-S收录)
Wu, W. J.; Yao, R. H.; Hu, Y. F.; Li, S. H.
会议名称AD'07: PROCEEDINGS OF ASIA DISPLAY 2007, VOLS 1 AND 2
关键词poly-Si TFT modeling empirical model leakage current
URL标识查看原文
内容类型会议论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2102031
专题华南理工大学
作者单位S China Univ Technol, Inst Microelect, Guangzhou, Guangdong, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Wu, W. J.,Yao, R. H.,Hu, Y. F.,等. An empirical model of leakage current in poly-silicon TFTs (CPCI-S收录)[C]. 见:AD'07: PROCEEDINGS OF ASIA DISPLAY 2007, VOLS 1 AND 2.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace