| 部分重叠双栅MOSFET特性的研究 | |
| 韩名君; 赵阳; 柯导明 | |
| 刊名 | 安徽大学学报(自然科学版)
 |
| 2012 | |
| 卷号 | 第2期页码:43-47 |
| 关键词 | 部分重叠双栅 分裂双栅 短沟效应 栅电容 沟道表面电场 |
| ISSN号 | 1000-2162 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2092104 |
| 专题 | 安徽大学 |
| 作者单位 | 安徽大学电子信息工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩名君,赵阳,柯导明. 部分重叠双栅MOSFET特性的研究[J]. 安徽大学学报(自然科学版),2012,第2期:43-47. |
| APA | 韩名君,赵阳,&柯导明.(2012).部分重叠双栅MOSFET特性的研究.安徽大学学报(自然科学版),第2期,43-47. |
| MLA | 韩名君,et al."部分重叠双栅MOSFET特性的研究".安徽大学学报(自然科学版) 第2期(2012):43-47. |
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