| 全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型 | |
| 常红; 杨菲; 孙桂金; 柯导明 | |
| 刊名 | 中国科学技术大学学报
 |
| 2018 | |
| 卷号 | 第48卷页码:75-81 |
| 关键词 | SOI MOSFE 短沟道效应 电势 半解析模型 |
| ISSN号 | 0253-2778 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2090723 |
| 专题 | 安徽大学 |
| 作者单位 | 1.中国电子科技集团有限公司第58研究所 2.安徽大学电子信息工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常红,杨菲,孙桂金,等. 全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型[J]. 中国科学技术大学学报,2018,第48卷:75-81. |
| APA | 常红,杨菲,孙桂金,&柯导明.(2018).全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型.中国科学技术大学学报,第48卷,75-81. |
| MLA | 常红,et al."全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型".中国科学技术大学学报 第48卷(2018):75-81. |
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