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	Fabrication and characterization of p-CuI/n-Si heterojunction diode (EI收录)
	Xiong, Chao[1,2]; Xu, Ancheng[1]; Lu, Xingzhong[1]; Chen, Lei[1]; Zhu, Xifang[1]; Yao, Ruohe[2]
会议名称	Key Engineering Materials
会议日期	August 5, 2012 - August 7, 2012
会议地点	Shanghai, China
关键词	Bias voltage Functional materials Photovoltaic effects Semiconductor diodes Silicon
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2052027
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1] School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, Jiangsu 213002, China 2.[2] School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, Guangdong 510641, China
推荐引用方式 GB/T 7714	Xiong, Chao[1,2],Xu, Ancheng[1],Lu, Xingzhong[1],等. Fabrication and characterization of p-CuI/n-Si heterojunction diode (EI收录)[C]. 见:Key Engineering Materials. Shanghai, China. August 5, 2012 - August 7, 2012.

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