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	Fabrication and characterization of p-CuSCN/n-Si heterojunction diode (EI收录)
	Xiong, Chao[1,2]; Yuan, Hong Chun[1]; Chen, Lei[1]; Xiao, Jin[1]; Ding, Li Hua[1]; Zhu, Xi Fang[1]; Zhou, Xiang Cai[1]
会议名称	Applied Mechanics and Materials
会议日期	March 13, 2013 - March 14, 2013
会议地点	Guangzhou, China
关键词	Bias voltage Information science Photovoltaic effects Semiconductor diodes Silicon
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2048815
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1] School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, Jiangsu 213002, China 2.[2] School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, Guangdong 510641, China
推荐引用方式 GB/T 7714	Xiong, Chao[1,2],Yuan, Hong Chun[1],Chen, Lei[1],等. Fabrication and characterization of p-CuSCN/n-Si heterojunction diode (EI收录)[C]. 见:Applied Mechanics and Materials. Guangzhou, China. March 13, 2013 - March 14, 2013.

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