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一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法
宁洪龙; 卢宽宽; 姚日晖; 胡诗犇; 刘贤哲; 郑泽科; 章红科; 徐苗; 王磊; 彭俊彪
权利人华南理工大学
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申请日期2017
内容类型专利
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2035585
专题华南理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
宁洪龙,卢宽宽,姚日晖,等. 一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法.
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