室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究 | |
安红娜; 杨祖念; 肖定全; 余萍; 刘志强; 陈连平; 黄昕; 王辉 | |
刊名 | 人工晶体学报 |
2007 | |
卷号 | 第36卷页码:1056-1062 |
关键词 | 电化学技术 SrWO4薄膜 负离子配位多面体 晶态薄膜生长过程 |
ISSN号 | 1000-985X |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2023228 |
专题 | 四川大学 |
作者单位 | 1.四川教育学院物理系 成都 (610041) 2.四川大学材料科学与工程学院材料科学系 成都 (610064) 3.四川大学分析测试中心 成都 (610064) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 安红娜,杨祖念,肖定全,等. 室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究[J]. 人工晶体学报,2007,第36卷:1056-1062. |
APA | 安红娜.,杨祖念.,肖定全.,余萍.,刘志强.,...&王辉.(2007).室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究.人工晶体学报,第36卷,1056-1062. |
MLA | 安红娜,et al."室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究".人工晶体学报 第36卷(2007):1056-1062. |
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