CORC  > 四川大学
室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究
安红娜; 杨祖念; 肖定全; 余萍; 刘志强; 陈连平; 黄昕; 王辉
刊名人工晶体学报
2007
卷号第36卷页码:1056-1062
关键词电化学技术 SrWO4薄膜 负离子配位多面体 晶态薄膜生长过程
ISSN号1000-985X
URL标识查看原文
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2023228
专题四川大学
作者单位1.四川教育学院物理系  成都  (610041)
2.四川大学材料科学与工程学院材料科学系  成都  (610064)
3.四川大学分析测试中心  成都  (610064)
推荐引用方式
GB/T 7714
安红娜,杨祖念,肖定全,等. 室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究[J]. 人工晶体学报,2007,第36卷:1056-1062.
APA 安红娜.,杨祖念.,肖定全.,余萍.,刘志强.,...&王辉.(2007).室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究.人工晶体学报,第36卷,1056-1062.
MLA 安红娜,et al."室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究".人工晶体学报 第36卷(2007):1056-1062.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace