用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺

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	胡建生
	2000-12-27
专利国别	中国
专利号	cn1278018
专利类型	发明
权利人	中国科学院等离子体物理研究所
是否PCT专利	是
学科主题	应用超导技术
公开日期	2009-10-15 ; 2009-10-15
申请日期	2000-06-12
专利申请号	cn00112333
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/50]
专题	合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡建生. 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺, 用于超导磁约束聚变装置第一壁表面的离子回旋硼化工艺. cn1278018. 2000-12-27.