钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法

	*钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法*
	方前锋
	2007
专利国别	中国
专利号	cn1962460
专利类型	发明
权利人	中国科学院合肥研究院
是否PCT专利	是
学科主题	新型功能材料与固体内耗
公开日期	2009-11-09 ; 2009-11-09
申请日期	2005
专利申请号	cn200510095632
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1664]
专题	合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	方前锋. 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(lamoo)基中温离子导体材料及其制备方法. cn1962460. 2007-01-01.