钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法; 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法 | |
方前锋![]() | |
2007 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | cn1962460 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院合肥研究院 |
是否PCT专利 | 是 |
学科主题 | 新型功能材料与固体内耗 |
公开日期 | 2009-11-09 ; 2009-11-09 |
申请日期 | 2005 |
专利申请号 | cn200510095632 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/1664] ![]() |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 方前锋. 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法, 钼酸镧(la*mo*o*)基中温离子导体材料及其制备方法. cn1962460. 2007-01-01. |
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