High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires | |
Hongqiang Wang ; Guanghai Li ; Lichao Jia ; Liang Li ; Guozhong Wang | |
刊名 | chem comm
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2009 | |
期号 | 25 |
合作状况 | 其它 |
学科主题 | 纳米材料与技术 |
收录类别 | SCI |
公开日期 | 2010-02-05 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/3012] ![]() |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Hongqiang Wang,Guanghai Li,Lichao Jia,et al. High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires[J]. chem comm,2009(25). |
APA | Hongqiang Wang,Guanghai Li,Lichao Jia,Liang Li,&Guozhong Wang.(2009).High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires.chem comm(25). |
MLA | Hongqiang Wang,et al."High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4 nanowires".chem comm .25(2009). |
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