InGaAs的电调制反射谱及其组份分析 | |
王桂芬; 马根源; 关德荣; 张晓东; 张光寅 | |
刊名 | 半导体学报
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1987 | |
卷号 | 第2期页码:196-200 |
关键词 | 反射谱 电调制 组份分析 InGaAs 能带结构 跃迁能量 合金组分 调制电压 南开大学 轨道分裂 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1918030 |
专题 | 南开大学 |
作者单位 | 南开大学物理系 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王桂芬,马根源,关德荣,等. InGaAs的电调制反射谱及其组份分析[J]. 半导体学报,1987,第2期:196-200. |
APA | 王桂芬,马根源,关德荣,张晓东,&张光寅.(1987).InGaAs的电调制反射谱及其组份分析.半导体学报,第2期,196-200. |
MLA | 王桂芬,et al."InGaAs的电调制反射谱及其组份分析".半导体学报 第2期(1987):196-200. |
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