| GD非晶硅电子迁移率的测量 | |
| 李德林; 林美荣; 张桂兰; 徐温元 | |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 1984 | |
| 卷号 | 第2期页码:105-107 |
| 关键词 | 瞬态光电流 电子迁移率 硅电子 非晶硅 陷阱能级 渡越时间 氮分子激光器 脉冲取样 电场强度 光生载流子 |
| ISSN号 | 0732-2112 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1912222 |
| 专题 | 南开大学 |
| 作者单位 | 南开大学物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李德林,林美荣,张桂兰,等. GD非晶硅电子迁移率的测量[J]. 电子学报,1984,第2期:105-107. |
| APA | 李德林,林美荣,张桂兰,&徐温元.(1984).GD非晶硅电子迁移率的测量.电子学报,第2期,105-107. |
| MLA | 李德林,et al."GD非晶硅电子迁移率的测量".电子学报 第2期(1984):105-107. |
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