| 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响 | |
| 张丽平; 张建军; 张鑫; 孙建; 赵颖 | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2009 | |
| 卷号 | 第38卷页码:831-835 |
| 关键词 | 氢化微晶硅锗薄膜 衬底温度 光、暗电导率 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1890723 |
| 专题 | 南开大学 |
| 作者单位 | 1.天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张丽平,张建军,张鑫,等. 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响[J]. 人工晶体学报,2009,第38卷:831-835. |
| APA | 张丽平,张建军,张鑫,孙建,&赵颖.(2009).衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响.人工晶体学报,第38卷,831-835. |
| MLA | 张丽平,et al."衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响".人工晶体学报 第38卷(2009):831-835. |
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