| 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质 | |
| 敖建平; 孙云; 王晓玲; 李凤岩; 何青; 孙国忠; 周志强; 李长健 | |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 2006 | |
| 卷号 | 第27卷页码:1406-1411 |
| 关键词 | 共蒸发 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 三步法工艺 薄膜太阳电池 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1888682 |
| 专题 | 南开大学 |
| 作者单位 | 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室,,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071,天津300071 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 敖建平,孙云,王晓玲,等. 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质[J]. 半导体学报,2006,第27卷:1406-1411. |
| APA | 敖建平.,孙云.,王晓玲.,李凤岩.,何青.,...&李长健.(2006).共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质.半导体学报,第27卷,1406-1411. |
| MLA | 敖建平,et al."共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质".半导体学报 第27卷(2006):1406-1411. |
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