| 基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管 | |
| 张学智; 冯鸣; 张心正 | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2013 | |
| 卷号 | 第62卷页码:230-236 |
| 关键词 | 全光二极管 中红外 硅基光子学 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1882592 |
| 专题 | 南开大学 |
| 作者单位 | 南开大学物理科学学院弱光非线性光子学教育部重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张学智,冯鸣,张心正. 基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管[J]. 物理学报,2013,第62卷:230-236. |
| APA | 张学智,冯鸣,&张心正.(2013).基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管.物理学报,第62卷,230-236. |
| MLA | 张学智,et al."基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管".物理学报 第62卷(2013):230-236. |
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