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	利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜及应用
	陈新亮; 耿新华; 王斐; 闫聪博; 张德坤; 孙建; 魏长春; 张建军; 张晓丹; 赵颖
权利人	南开大学
URL标识	查看原文
申请日期	2011
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1855900
专题	南开大学
作者单位	00071天津市南开区卫津路94号
推荐引用方式 GB/T 7714	陈新亮,耿新华,王斐,等. 利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜及应用.

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