一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法 | |
1 黄志明 2周炜 3 徐晓峰 4 吴敬 5张雷博 6 褚君浩 | |
2014 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 201210211532.0 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2015-01-06 |
申请日期 | 2012 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7867] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 黄志明 2周炜 3 徐晓峰 4 吴敬 5张雷博 6 褚君浩. 一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法. 201210211532.0. 2014-01-01. |
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