GaN基紫外探测器读出电路注入效率

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	GaN基紫外探测器读出电路注入效率
	马丁; 刘福浩; 李向阳; 张燕
刊名	红外与激光工程
	2017
期号	11 页码:171-176
关键词	注入效率紫外探测器 CTIA结构读出电路
英文摘要	读出电路的注入效率是决定紫外焦平面探测器性能的重要因素。基于Ga N基p-i-n结构日盲紫外探测器以及CTIA结构读出电路的等效模型,对探测器信号读出的电荷注入效率进行了分析,得到了注入效率的表达式。分析了注入效率与积分时间、探测器等效电阻、探测器等效结电容、CTIA电路中运算放大器增益的依赖关系,并指出了放大器增益是有效影响注入效率的重要可控因素之一,可以用提高增益的方法获得更大的注入效率。设计了几种不同增益的运算放大器电路,并分别构成CTIA结构读出电路。采用GF 0.35μm 2P4M标准CMOS工艺设计电路版图并进行流片。将紫外探测器分别连接至具有不同放大器增益的CTIA读出电路并进行测试,通过对比注入效率的理论分析结果与实际测试结果,可以得知,注入效率的理论分析与实验结果吻合较好。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12117]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	马丁,刘福浩,李向阳,等. GaN基紫外探测器读出电路注入效率[J]. 红外与激光工程,2017(11):171-176.
APA	马丁,刘福浩,李向阳,&张燕.(2017).GaN基紫外探测器读出电路注入效率.红外与激光工程(11),171-176.
MLA	马丁,et al."GaN基紫外探测器读出电路注入效率".红外与激光工程 .11(2017):171-176.