题名 | InGaAs探测器温度控制技术及其系统应用研究 |
作者 | 钟轶 |
答辩日期 | 2009-05-19 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
导师 | 王淦泉 |
关键词 | Ingaas探测器 低噪声 温度控制 半导体制冷器 |
学位专业 | 电路与系统 |
英文摘要 | 为了满足我国气象事业的发展需求,新一代地球同步轨道气象卫星成像仪正在研制中。作为地球同步轨道遥感仪器,其系统信噪比是仪器的关键指标,如何提高系统信噪比是仪器研制的难点之一。 InGaAs探测器研制水平的不断提高,在很大程度上满足了航天遥感仪器近红外波段范围内的探测应用需求。研究表明,采用制冷的方法可以进一步降低InGaAs探测器的噪声。然而,探测器制冷方法对于系统信噪比的提高程度会受到探测器后端信号获取电路自身噪声水平的限制,而且制冷设备也有可能对探测器产生电磁干扰。更重要的是,在复杂变化的环境温度下,必须设计性能优良的温控电路才能保证探测器稳定地工作在合适的温度点。为了进一步提高仪器近红外通道的系统探测性能,本文首先介绍了信号获取电路中关键环节——前置放大电路的低噪声处理方法,论证了探测器温度对于系统信噪比的影响。其次给出了探测器的制冷方案与温控方法,通过将半导体制冷器的开关工作状态改为连续工作状态,有效的消除了制冷器对探测器的电磁干扰。最后设计并实现了基于FPGA的硬件PID控制电路,实验证明,该控制电路的控制精度和控制稳定性满足工程应用要求。 InGaAs探测器温度控制电路的系统应用表明,当探测器工作在0°C时,系统噪声明显减小,满足仪器信噪比要求。 |
学科主题 | 红外系统与元部件 |
公开日期 | 2012-08-22 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5076] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟轶. InGaAs探测器温度控制技术及其系统应用研究[D]. 中国科学院研究生院. 2009. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论