| 题名 | 硅基表面砷钝化及碲化镉材料外延的第一性原理研究 |
| 作者 | 黄燕 |
| 答辩日期 | 2008-01-03 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 陈效双 |
| 关键词 | Si高密勒指数表面 钝化 第一性原理 Cdte As |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文采用第一性原理方法对Ge、Si高密勒指数表面As钝化以及外延II-VI族材料的微观过程进行了系统的理论研究，为实验上制备第三代HgCdTe红外光电子材料提供了全量子的理论分析基础。得到以下主要结果：1. Si(211)表面主要呈（2×1）重构，As在该表面的钝化主要为置换模型，同时找到一条可能的钝化路径。As饱和了表面部分悬挂键，在削弱表面态的同时仍然保留了表面态的特性。2. 采用部分钝化As/Si(211)基底，进一步研究了单个Cd、Te原子以及单、双层CdTe、ZnTe在该基底上的外延吸附。一方面，As钝化增加了表面键长，在一定程度上降低了基底与外延层之间的晶格失配；另一方面，As钝化饱和了表面部分悬挂键，在削弱表面态的同时仍然保留了表面态的特性，抑制A面生长，有利于B面外延层的生长。3. Ge(211)表面的重构形式以及As钝化情况与Si(211)表面上得到的结果基本一致。部分置换模型保持表面重构构型，可以在削弱表面态的同时，保留部分表面态。残留的表面态也可能在外延选择性生长B面II-VI族材料中起到重要作用。4. 通过研究Si(311)表面简单3×重构模型、AD模型以及ADI模型的结构与电子特性，表明ADI模型更加符合实际。采用ADI模型，进一步研究了As在该表面的置换构型，发现在I位置附近的Si原子被As置换后容易引起总能量的升高。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4874]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄燕. 硅基表面砷钝化及碲化镉材料外延的第一性原理研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
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