题名 | 半导体量子点特性研究 |
作者 | 杨希峰 |
答辩日期 | 2008-12-24 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
导师 | 陆卫 |
关键词 | 量子点 Pl谱 Pc谱 Vff方法 格林函数 递归方法 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
英文摘要 | 本论文主要涵盖了三方面的工作,可分为五部分。第一部分介绍了量子点的基本特性和应用进展。在第二部分,利用短程VFF方法,我们讨论了应力在量子点形成过程中对单个量子点形状及耦合量子点排列的影响。在第三部分,我们同样利用有效质量方法,研究了InAs/GaAs量子点的PL谱展宽与量子点尺寸分布的关系,在这里,量子点的应力分布采用了量子阱近似。第四部分,我们利用VFF方法计算了三种不同形状的量子点的应力,同时利用递归方法模拟了量子点红外探测器的跃迁能级。第五部分,对工作进行了总结和展望。 第四章包含了5节。 在第1节, 我们介绍了量子点红外探测器的研究背景。在第2节,我们给出了要研究的量子点红外探测器的制备和结构图。在第3节,介绍了实验上测量的光谱特性。 在第4节,用VFF方法计算了应力分布,同时用递归方法计算了量子点的能级分布,数值结果和讨论被给出。工作总结被写在最后一小节中。 第五章我们进行了工作总结和展望。第一部分为第1章共分4节。简略地描述了量子点系统,量子点的定义和制备以及基于量子点设计的器件的研究进展。最后,在第4节我们 给出本文的研究内容。第二章包括5节。在第1节我们简单介绍一下通过量子点系统应力的研究背景。第2节介绍了几种计算应力的方法,同时给出了改进的VFF方法的细致描述。在第3节,我们利用VFF模型计算了单个量子点的弹性能以及不同的组份分布对弹性能的影响。第4节中,我们利用VFF方法计算了四种常见的量子点形状的弹性能,研究了弹性能在量子点生长过程中所起的作用,同时模拟了应力在耦合量子点的形成过程中导致的量子点垂直生长的现象。在最后一节我们对工作做了小结。第三章包含了5节。在第1节,我们介绍了量子点光谱展宽和尺寸分布的研究背景。在第2节,我们介绍了电子能级计算的几种方法:传输矩阵方法、递归方法和KP方法。在第3节,我们计算了量子点的尺寸分布导致的展宽的PL谱。在这里我们假设量子点近似具有量子阱的应力分布。在第4节,我们将实验结果和理论模拟做了比较,理论和实验符合的很好,一个量子点尺寸分布和相应PL谱的展宽公式被给出。工作总结被写在最后一小节中。 |
学科主题 | 红外基础研究 |
公开日期 | 2012-08-22 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4846] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨希峰. 半导体量子点特性研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
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