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题名	碲镉汞材料的光谱表征方法研究
作者	黄炜
答辩日期	2007-06-05
文献子类	硕士
授予单位	中国科学院研究生院
导师	褚君浩
关键词	碲镉汞 光电流谱 调制反射光谱 杂质/缺陷 光电响应
学位专业	物理电子学
英文摘要	窄禁带碲镉汞（Hg1-xCdxTe）半导体是一种理想的红外辐射探测材料，在红外探测器和焦平面阵列方面具有重要的应用价值。本文围绕HgCdTe材料的光谱表征方法，对目前HgCdTe材料研究领域的两个问题（光电响应和杂质/缺陷的影响）进行了分析与测试。优化了中红外波段的光调制反射（PR）光谱实验方法。本文在分析和比较的基础上，利用实验室新建立的基于FTIR的PR方法对HgCdTe材料进行研究，摸索了新方法的优化条件，积累了实验经验，从而使PR光谱质量得到保证。确认了用红外PR方法研究窄禁带半导体HgCdTe的有效性，并利用新方法对HgCdTe材料进行了概念性测量。对实验光谱的拟合与分析表明，Hg空位能级位于价带上约14meV处，AsHg和TeHg分别在导带下约6.9meV和17.6meV处。研制并优化了HgCdTe材料的光电流谱测试电路。结果表明，测试电路工作性能良好，满足功能设计的要求。不仅能提供低噪声、高稳定性的电学测试环境，还具备了友好的人机交互接口，便于对测试参数实时监控。对HgCdTe材料进行了多种光谱实验，比较了几种用于预测材料光电响应截止波长的光谱方法的特点。结果表明：用传统透射谱和禁带宽度经验公式来预测材料的光电响应截止波长的方法存在一定不准确因素；PR方法作为一种无损光谱方法能较可靠的预测HgCdTe材料光电响应截止波长。
学科主题	红外基础研究
公开日期	2012-08-14
内容类型	学位论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/4736]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	黄炜. 碲镉汞材料的光谱表征方法研究[D]. 中国科学院研究生院. 2007.

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