QQ客服 官方微博 反馈留言

题名	红外光电子材料的电子结构和掺杂的第一性原理研究
作者	段鹤
答辩日期	2008-01-03
文献子类	博士
授予单位	中国科学院研究生院
导师	陆卫
关键词	红外功能材料 碲镉汞 第一性原理 碲锌镉衬底 砷掺杂
学位专业	微电子学与固体电子学
英文摘要	围绕HgCdTe分子束外延生长工艺中关于衬底材料质量的评价和原位p型掺杂等核心问题，采用全量子理论框架的第一性原理计算方法研究了衬底材料碲锌镉(CdZnTe)的物理性质和原位As杂质的p型掺杂微观机理，主要的研究内容包括：1. 基于全电子势线性缀加平面波(FLAPW)方法，对CdZnTe完整晶体的物理性质及相关的理论参数进行了讨论，为全面认识Zn含量超过0.2的CdZnTe材料的基本物理性质提供了相关信息。2. 采用FLAPW方法对不同组分的Cd1-xZnxTe合金的结构性质、电子结构和光学性质进行了研究。从阴离子驰豫的角度，定性地描述了Cd1-xZnxTe合金化过程的微观机制。深入研究了阴离子的驰豫所导致的合金电子态的分裂、窄化等合鸹卣鳎⒋幽艽峁寡芯苛薈d1-xZnxTe合金光学跃迁机制，填补了高Zn组分的Cd1-xZnxTe合金的光学性质的理论数据。3. 基于赝势平面波(PPW)方法模拟了外延HgCdTe材料中As簇团的结构性质，对各杂质体系的缺陷形成能和结合能进行了分析，从理论上预言了As4、As2在外延层可能的吸附形式为As的簇团结构。在此基础上，借助态密度、单电子能级和电离能的分析，对原生样品中束缚于VHg的As2簇团杂质的缺陷态特征进行了确认，并与光学测试和电学测试的研究结果进行了比较，从而获得了As杂质在原生Hg1-xCdxTe材料中补偿性n型掺杂行为的微观机理。
学科主题	红外基础研究
公开日期	2012-08-14
内容类型	学位论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/4696]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	段鹤. 红外光电子材料的电子结构和掺杂的第一性原理研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。