题名 | 热处理过程对HgCdTe红外探测器性能的影响 |
作者 | 孙柏蔚 |
答辩日期 | 2006-06-01 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
导师 | 胡晓宁 |
关键词 | Hgcdte 光伏探测器 回熔 暗电流 离子注入后退火 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
英文摘要 | 随着半导体制造技术的发展,一些新技术和新工艺被用来开发新型的HgCdTe红外探测器。由于HgCdTe材料的特殊性,考察这些新工艺对器件性能的影响,是评价工艺是否可行的重要标尺之一。本文着眼于铟柱回熔焊技术,首先研究了回熔过程对器件IV性能的影响。结果发现,无论中短波还是长波器件经过铟柱回熔工艺之后,器件的IV性能均变差,反向漏电有不同程度的增加。为了研究回熔工艺造成的器件热失效机理,本文通过设计专门的流片试验及模型拟合计算。分析结果表明,器件经过铟柱回熔热过程后,在ZnS钝化层与HgCdTe的界面处产生了大量缺陷,导致缺陷辅助隧道电流和产生复合电流的增加,致使器件性能变差。因此,提高器件钝化层的热稳定性是采用铟柱回熔焊技术的先决条件。本文还研究了离子注入后退火、退火后表面处理等过程对器件性能的影响,发现一定条件的退火能减小缺陷浓度,从而提高器件动态阻抗,有效改善器件IV性能。实验结果还表明,离子注入后退火对LPE器件IV性能的改善要优于MBE器件。分析表明,这种现象是由两种不同衬底外延材料的位错密度差异所致。而退火后的表面处理,尽管对IV性能的影响不大,却能减小器件噪声,提高器件的黑体探测率。 |
学科主题 | 红外探测材料与器件 |
公开日期 | 2012-07-11 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4560] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙柏蔚. 热处理过程对HgCdTe红外探测器性能的影响[D]. 中国科学院研究生院. 2006. |
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