| 题名 | 高掺杂AlGaNGaN异质结二维电子气的磁阻性质 |
| 作者 | 姚炜 |
| 答辩日期 | 2005-05-18 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | Algan/gan 二维电子气 磁致子带间散射 弱局域 反弱局域 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文对高调制掺杂的AlGaN/GaN异质结，使用范德堡法进行磁输运测量，用深低温霍尔测试系统，磁场为0～10T，温度为1.4K～31K。通过分析不同温度下的磁阻随磁场的变化，来研究其二维电子气的磁阻性质。 1. 发现AlGaN/GaN异质结界面处的二维电子气已占据两个子带，并测量到由磁致子带间散射引起的磁阻振荡，它不同于SdH振荡，对温度的变化不敏感，也不依赖于费米能级，只与两个子带的能级间距有关。并在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象。根据Sander等人和Raikh等人给出了磁阻振荡的具体表达式，拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的。 2. 观察到深低温低磁场下出现正，负磁阻变化，即电子的反弱局域化与弱局域化，这是来源于AlGaN/GaN异质结二维电子气中的量子相干散射。根据Hikami，Larkin和Nagaoka给出的扩散近似下的磁导率随磁场变化关系式，拟合实验结果得到电子自旋-轨道散射时间以及非弹性散射时间。电子的自旋-轨道散射主要来源于晶体场引起的自旋分裂，不受晶格温度的影响，而非弹性散射时间与温度成反比关系，表明非弹性散射机制主要来源于小能量转移的电子-电子散射。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4382]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚炜. 高掺杂AlGaNGaN异质结二维电子气的磁阻性质[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
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