| 题名 | 紫外焦平面CMOS_TDI读出电路研制 |
| 作者 | 谢文青 |
| 答辩日期 | 2005-06-08 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 方家熊 |
| 关键词 | 紫外焦平面 读出电路 时间延迟积分(Tdi) Cmos Bbd |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 在多数的紫外技术应用中，目标的紫外辐射非常微弱，探测器的光生电流非常小，通常为nA甚至pA量级。时间延迟积分(TDI)技术是提高输出信号信噪比的一种十分有效的方法，对于弱信号应用的扫描型线列紫外焦平面具有重要意义，采用高阶TDI电路，可以预期获得较高的信噪比，提高紫外焦平面的性能。随着Si_CMOS集成电路工艺的发展和进一步完善，读出电路正逐步由基于CCD工艺向基于CMOS工艺的方向发展。 本文对用CMOS工艺实现时间延迟积分功能的可行性进行了研究。阐述了时间延迟积分的基本原理，对CMOS_TDI的实现方法进行了初步分析，采用戽链器件（BBD）实现TDI，并设计了3×9 CMOS_TDI电路。具体分析了BBD_TDI电路的实现原理，讨论了读出电路的一些基本性能，采用IC设计软件Cadence对电路进行仿真，确定电路中器件的设计参数，并证实了BBD实现TDI的可行性。设计的电路在上华0.6μm双层多晶硅双层金属 （DPDM）工艺线上得以具体实现，本文给出了版图的设计和验证方法。 将读出电路芯片和p-i-nGaN线列紫外探测器互连，测试结果表明，设计的读出电路能够完成预定的注入信号累加的功能，输出信号的信噪比有明显的提高，设计的电路很好地完成了预定的时间延迟积分功能。焦平面探测率约为10E10 cmHzE1/2/W量级。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4380]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢文青. 紫外焦平面CMOS_TDI读出电路研制[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论