| 题名 | InAs/GaAs量子点光学性质研究 |
| 作者 | 汤乃云 |
| 答辩日期 | 2005-06-06 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 陆卫 |
| 关键词 | 量子点 应变分布 电子能级 尺寸分布 压力系数 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 近年来，In(Ga)As/GaAs自组织量子点体系因其独特、优异的光电性质，成为低维物理研究领域一个前沿课题。本论文研究了量子点的应力分布，尺寸相关的电子结构，界面混合对发光光谱的影响以及压力系数随应变的变化关系，取得了以下一些主要结果。 1. 量子点的不同形状对其流体静压应变的影响较为微弱，而对单轴应变的影响则更加明显且较为复杂。对于实验生长最为常见的量子点，其弹性张量的立方对称性大于形状对称性，因此应变分布中的各向异性主要由量子点形状的各向异性决定。量子点内部应变对于量子点各方向尺寸的相对变化较为敏感；同时对于量子点体积的变化，量子点的应变分量几乎不受影响。 量子点内部能级存在简并。随着尺寸的增大，量子点各能级之间的间距减小，能级数目增加。在外加磁场下，量子点内的电子能级的能量增大；同时由角量子数m引起的能级简并解除， m为正数时，其能量较高。 2. InAs/GaAs量子点是一个大应变体系，其弹性常数和晶格常数在外加压力下发生改变，导致了量子点禁带宽度压力系数减小，电子束缚能增加。两者共同作用使得量子点具有较小的压力系数。同时，电子束缚能变化对不同尺寸的量子点发光峰压力系数影响不同。尺寸越小的量子点，势阱越窄，受势垒高度和电子束缚程度影响越大，其发光峰的压力系数也就越大。 3. 量子点尺寸分布展宽了量子点的光致发光峰，同时使量子点的发光峰位红移。由于量子点的直径和高度等具有不同的尺寸分布，相对基态发光峰，激发态发光峰的展宽并不单一，它有可能大于，等于或小于基态发光峰能量展宽。 4. 质子注入导致的界面混合和注入损伤是一个相互竞争过程，存在一个临界的注入剂量 ，当注入剂量 小于 ，界面混合作用较为明显，量子点发光峰强随注入剂量增加而增强；当 大于 时，质子注入引起了大量的非辐射复合中心，主要表现为注入损伤，量子点的发光峰强随注入剂量增加而迅速减弱。退火温度越高，注入剂量越大。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4284]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤乃云. InAs/GaAs量子点光学性质研究[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
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