| 题名 | 钙钛矿结构铁电薄膜及其复合结构的制备和性能 |
| 作者 | 马建华 |
| 答辩日期 | 2005-01-14 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | 钙钛矿 铁电薄膜 复合结构 铁电性能 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 钙钛矿结构铁电薄膜材料的制备和性能研究在信息功能材料领域具有重要的科学意义和应用前景。本文系统研究了Pb(Zr,Ti)O3（PZT）体系和Bi4Ti3O12（BIT）体系铁电薄膜，并探索了应用于非制冷热释电红外焦平面列阵探测器和非挥发性铁电存储器的可能性。获得了如下一些结果：（1）通过研究晶化退火气氛、Pb过量、热解温度等对PZT（40/60）体系薄膜的结构和性能影响，得出在空气中退火、Pb过量10%且热解温度为380oC的薄膜的铁电性能最好，优化了薄膜的化学溶液方法制备工艺，获得了PZT（40/60）薄膜在2.5—12.5mm红外波段的光学常数，为探测器的研制提供了一些参数；（2）探索了BIT新型铁电薄膜材料体系的化学溶液制备方法，研究了Bi3.25La0.75Ti3O12（BLT）和Bi3.25Nd0.75Ti3O12（BNT）薄膜的铁电性能，获得了光学常数、禁带宽度及折射率色散关系；确定BNT薄膜具有同BIT薄膜相似的铁电各向异性行为；并明确了LC谐振是介电频谱产生突变的原因之一；（3）成功制备了红外探测器隔热层结构的高气孔率SiO2气凝胶薄膜，研究表明SiO2气凝胶薄膜的热导率低达0.020W·m-1·K-1，在此基础上，课题组实现256´1红外焦平面列阵单元器件的热成像；（4）研究了非挥发性铁电存储器中的MFIS结构的制备和性能，结果表明射频磁控溅射法制备的STO适合作为MFIS结构的绝缘层，并成功制备了具有2.6V记忆窗口的Si/STO/PZT MFIS结构。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4278]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马建华. 钙钛矿结构铁电薄膜及其复合结构的制备和性能[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
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