| 题名 | 红外焦平面CMOS_TDI读出电路的研究 |
| 作者 | 温德鑫 |
| 答辩日期 | 2003-06-20 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 丁瑞军 |
| 关键词 | 信噪比 戽链器件(Bbd) 时间延迟积分(Tdi) |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 时间延迟积分(TDI)技术是提高扫描型红外焦平面信噪比的重要方法。电荷转移器件能够较好地实现这一功能，其中CCD器件最早被用来完成TDI的功能。随着集成电路(IC)的迅速发展，采用CMOS工艺实现TDI的方法得到了很大的发展和广泛的应用。本文探讨的是用另外一种电荷转移器件——戽链器件（BBD）来实现时间延迟积分的可行性，它与标准CMOS工艺兼容的特性顺应了读出电路的发展趋势。提出了利用BBD结构完成六级延迟和积分的单元电路，对其进行功能仿真，证明了BBD结构实现时间延迟积分功能的可行性。在此基础上，设计了30×6的CMOS_TDI电路，共有三十个信号通道，可以实现每个通道的六级时间延迟积分。合理安排电路中的转移和复位时钟后，对系统进行功能仿真，结果表明该电路工作情况良好。采用无锡上华半导体公司的双铝、双多晶硅、双阱0.6μm CMOS工艺的设计规则，进行了版图的设计与验证。采用该工艺进行流片加工，并对得到的芯片进行了测试和分析。采用硬件仿真的办法，使用分立器件搭建了一个具有BBD结构的四级TDI电路，测试结果表明，这种BBD结构能够较好的完成时间延迟和积分的功能。对四级TDI电路的验证芯片进行了直接注入（DI）结构性能的测试和分析，测试结果表明，DI注入电路具体较高的注入效率和线性度，该电路能够较好的完成四级TDI的功能。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4059]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温德鑫. 红外焦平面CMOS_TDI读出电路的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2003. |
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