| 题名 | 碲镉汞探测器的低频性能研究 |
| 作者 | 张燕 |
| 答辩日期 | 2003-04-09 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 方家熊 |
| 关键词 | 碲镉汞 低频性能 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 由于禁带宽度可调，碲镉汞能够制成探测不同波段的器件，实现红外探测的全波段覆盖。新一代遥感卫星工程对HgCdTe器件提出了更高的要求，本论文对甚长波和中波波段HgCdTe工程研发器件的一些关键问题进行研究，得到的主要结果为： 1、对HgCdTe中波小面积探测器件噪声进行了研究。提出了“边缘接触不对称MIS结构”模型，解释了工程研发的中波HgCdTe叠层器件性能1/f噪声影响的物理机制，对叠层结构的钝化和电极工艺进行了有益的探讨。 2、建立并标定了激光源小信号测量装置，对甚长波器件的信号和低频噪声进行了分析，解释了有效寿命随光强的变化关系。 3、研究了背景辐射对甚长波器件和中波器件性能的影响，提出了“临界背景通量密度”概念，确定了甚长波器件的“临界背景通量密度”范围，并推导了中波器件“临界背景通量密度”与器件有效寿命的关系。据此提出了一种工程研发芯片的新筛选规范，利用这个规范可望有效增加中间测试工序的成品率。 4、通过对工程研发中波和甚长波器件的噪声频谱研究，从实验上确认了1/f噪声与产生-复合噪声的相关性，得出比例系数与器件参数有关的结论。 5、发现了制约碲镉汞探测器性能的制约点，提出了改进意见。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4037]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张燕. 碲镉汞探测器的低频性能研究[D]. 中国科学院研究生院. 2003. |
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