一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法 | |
1胡伟达 2 郭楠 3 陈效双 4 陆卫 | |
2011 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 201010107411.2 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-12-15 |
申请日期 | 2010 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3615] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1胡伟达 2 郭楠 3 陈效双 4 陆卫. 一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法. 201010107411.2. 2011-01-01. |
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