基片表面状态对Pb1-xGexTe薄膜红外光学性能的影响

	基片表面状态对Pb1-xGexTe薄膜红外光学性能的影响
	谢平; 李斌; 张素英; 刘定权
刊名	红外
	2010-09-10
卷号	31 期号:9 页码:14-17
关键词	Pb1-xgexte 表面状态红外薄膜光学常数(n k)
英文摘要	在高真空中用热蒸发的方法沉积了碲锗铅(Pb1-xGexTe)薄膜。分析了基片表面状态(粗糙度、晶向、温度)对膜层结构和红外光学特性的影响，发现光滑表面容易得到致密膜层和高红外折射率；随着沉积温度的增加，膜层的短波吸收边(λc)往长波方向移动。
公开日期	2011-07-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/670]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢平,李斌,张素英,等. 基片表面状态对Pb1-xGexTe薄膜红外光学性能的影响[J]. 红外,2010,31(9):14-17.
APA	谢平,李斌,张素英,&刘定权.(2010).基片表面状态对Pb1-xGexTe薄膜红外光学性能的影响.红外,31(9),14-17.
MLA	谢平,et al."基片表面状态对Pb1-xGexTe薄膜红外光学性能的影响".红外 31.9(2010):14-17.