| II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 | |
| 1方维政2徐琰3孙士文4周梅华5刘从峰6涂步划7杨建荣8何力 | |
| 2008 | |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 专利号 | 200610026935.2 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2006 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/597]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1方维政2徐琰3孙士文4周梅华5刘从峰6涂步划7杨建荣8何力. II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法. 200610026935.2. 2008-01-01. |
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